1HS01G

配单专家企业名单

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批号
价格
说明
操作

1HS01G
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：廖小姐
电话：13410012158
地址：广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层
5000
INFINEON
SOP8
10+
-
原装现货优势库存

1HS01G
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：李先生
电话：13760200702
地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706
资质：营业执照
1300
Infineon
SOP8S
假一赔十！
-
绝对原装现货！！

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1HS01G 技术参数

1-HPV-DV-3A 功能描述:FUSEHOLDER ASSEMBLY 制造商:eaton 系列:* 零件状态:有效标准包装:1 1-HPV-DV-3-5A 功能描述:FUSEHOLDER ASSEMBLY 制造商:eaton 系列:* 零件状态:有效标准包装:1 1HP04CH-TL-W 功能描述:MOSFET P-CH 100V 0.17A SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:170mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:18 欧姆 @ 80mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.9nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:14pF @ 20V 功率 - 最大值:600mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:1 1HN04CH-TL-W 功能描述:MOSFET N-CH 100V 0.27A SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:270mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 欧姆 @ 140mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.9nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:15pF @ 20V 功率 - 最大值:600mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:1 1HM61 功能描述:SEALED AERO SWITCH 制造商:honeywell sensing and productivity solutions 系列:* 零件状态:有效标准包装:1 1HS181 1HS201 1HS25 1HS35 1HS38 1HS41 1HS431 1IS11-10.4 1IS11-12.0 1IS11-16.0 1IS11-19.0 1IS11-22.5 1IS16-12.0 1J0280-3 1J0560-3 1J0770-3 1JBLK 1JCLR