1277AS-H-R47N=P2

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1277AS-H-R47N=P2
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑小姐
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411
资质：营业执照
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1277AS-H-R47N=P2
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
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联系人：苗凤军
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1277AS-H-R47N=P2 技术参数

1277AS-H-R47M=P2 功能描述:470nH Shielded Wirewound Inductor 3.7A 31 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE322512C 包装:* 零件状态:新产品类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:470nH 容差:±20% 额定电流:3.7A 电流 - 饱和值:4.7A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:31 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:* 封装/外壳:* 大小/尺寸:* 高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:1 1277AS-H-6R8M=P2 功能描述:6.8μH Shielded Wirewound Inductor 1.2A 276 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE322512C 包装:* 零件状态:新产品类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:6.8μH 容差:±20% 额定电流:1.2A 电流 - 饱和值:1.5A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:276 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:* 封装/外壳:* 大小/尺寸:* 高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:1 1277AS-H-4R7M=P2 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 1.4A 180 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE322512C 包装:* 零件状态:新产品类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:4.7μH 容差:±20% 额定电流:1.4A 电流 - 饱和值:1.8A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:180 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:* 封装/外壳:* 大小/尺寸:* 高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:1 1277AS-H-3R3M=P2 功能描述:3.3μH Shielded Wirewound Inductor 1.8A 126 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE322512C 包装:* 零件状态:新产品类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:3.3μH 容差:±20% 额定电流:1.8A 电流 - 饱和值:2.1A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:126 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:* 封装/外壳:* 大小/尺寸:* 高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:1 1277AS-H-2R2M=P2 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 2.1A 84 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE322512C 包装:* 零件状态:新产品类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:2.2μH 容差:±20% 额定电流:2.1A 电流 - 饱和值:2.6A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:84 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:* 封装/外壳:* 大小/尺寸:* 高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:1 1278023-1 1278030000 1278032-5 1278040000 1278050000 1278050-3 1278060000 1278070000 1278080000 1278090000 12781 1278100000 1278110000 1278118-1 1278118-4 1278118-5 1278120000 1278130000