1277AS-H-3R3NP2

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1277AS-H-3R3NP2
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
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联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3548
TOKO
DFE322512
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1277AS-H-3R3NP2 技术参数

1277AS-H-3R3M=P2 功能描述:3.3μH Shielded Wirewound Inductor 1.8A 126 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE322512C 包装:* 零件状态:新产品类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:3.3μH 容差:±20% 额定电流:1.8A 电流 - 饱和值:2.1A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:126 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:* 封装/外壳:* 大小/尺寸:* 高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:1 1277AS-H-2R2M=P2 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 2.1A 84 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE322512C 包装:* 零件状态:新产品类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:2.2μH 容差:±20% 额定电流:2.1A 电流 - 饱和值:2.6A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:84 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:* 封装/外壳:* 大小/尺寸:* 高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:1 1277AS-H-1R5M=P2 功能描述:1.5μH Shielded Wirewound Inductor 2.6A 65 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE322512C 包装:* 零件状态:新产品类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:1.5μH 容差:±20% 额定电流:2.6A 电流 - 饱和值:3A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:65 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:* 封装/外壳:* 大小/尺寸:* 高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:1 1277AS-H-1R0M=P2 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 3.1A 45 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE322512C 包装:* 零件状态:新产品类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:1μH 容差:±20% 额定电流:3.1A 电流 - 饱和值:3.7A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:45 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:* 封装/外壳:* 大小/尺寸:* 高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:1 1277AS-H-100M=P2 功能描述:10μH Shielded Wirewound Inductor 900mA 420 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE322512C 包装:* 零件状态:新产品类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:10μH 容差:±20% 额定电流:900mA 电流 - 饱和值:1.2A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:420 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:* 封装/外壳:* 大小/尺寸:* 高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:1 1278020000 1278022-1 1278022-2 1278023-1 1278030000 1278032-5 1278040000 1278050000 1278050-3 1278060000 1278070000 1278080000 1278090000 12781 1278100000 1278110000 1278118-1 1278118-4