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1276AS-H-R68M=P2

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  • 1276AS-H-R68M=P2
    1276AS-H-R68M=P2

    1276AS-H-R68M=P2

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • MURATA/村田

  • SMD

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

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    1276AS-H-R68M=P2

    1276AS-H-R68M=P2

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 6000

  • Murata Electronics North

  • 标准封装

  • 16+

  • -
  • 假一罚十,百分百正品

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  • 1
1276AS-H-R68M=P2 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • 680nH Shielded Wirewound Inductor 2.9A 45 mOhm Max
  • 制造商
  • murata electronics north america
  • 系列
  • DFE322510C
  • 包装
  • *
  • 零件状态
  • 新产品
  • 类型
  • 绕线
  • 材料 - 磁芯
  • 铁粉
  • 电感
  • 680nH
  • 容差
  • ±20%
  • 额定电流
  • 2.9A
  • 电流 - 饱和值
  • 3.5A
  • 屏蔽
  • 屏蔽
  • DC 电阻(DCR)
  • 45 毫欧最大
  • 不同频率时的 Q 值
  • -
  • 频率 - 自谐振
  • -
  • 等级
  • -
  • 工作温度
  • -40°C ~ 85°C
  • 频率 - 测试
  • 1MHz
  • 安装类型
  • *
  • 封装/外壳
  • *
  • 大小/尺寸
  • *
  • 高度 - 安装(最大值)
  • *
  • 标准包装
  • 1
1276AS-H-R68M=P2 技术参数
  • 1276AS-H-R47M=P2 功能描述:470nH Shielded Wirewound Inductor 3.3A 38 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE322510C 包装:* 零件状态:新产品 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁粉 电感:470nH 容差:±20% 额定电流:3.3A 电流 - 饱和值:3.8A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):38 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:* 封装/外壳:* 大小/尺寸:* 高度 - 安装(最大值):* 标准包装:1 1276AS-H-6R8M=P2 功能描述:6.8μH Shielded Wirewound Inductor 1A 378 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE322510C 包装:* 零件状态:新产品 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁粉 电感:6.8μH 容差:±20% 额定电流:1A 电流 - 饱和值:1.3A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):378 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:* 封装/外壳:* 大小/尺寸:* 高度 - 安装(最大值):* 标准包装:1 1276AS-H-4R7M=P2 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 1.2A 264 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE322510C 包装:* 零件状态:新产品 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁粉 电感:4.7μH 容差:±20% 额定电流:1.2A 电流 - 饱和值:1.6A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):264 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:* 封装/外壳:* 大小/尺寸:* 高度 - 安装(最大值):* 标准包装:1 1276AS-H-3R3M=P2 功能描述:3.3μH Shielded Wirewound Inductor 1.4A 190 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE322510C 包装:* 零件状态:新产品 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁粉 电感:3.3μH 容差:±20% 额定电流:1.4A 电流 - 饱和值:1.8A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):190 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:* 封装/外壳:* 大小/尺寸:* 高度 - 安装(最大值):* 标准包装:1 1276AS-H-2R2M=P2 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 1.6A 118 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE322510C 包装:* 零件状态:新产品 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁粉 电感:2.2μH 容差:±20% 额定电流:1.6A 电流 - 饱和值:2.2A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):118 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:* 封装/外壳:* 大小/尺寸:* 高度 - 安装(最大值):* 标准包装:1 1277091690 1277091691 1277091692 1277091693 1277091694 1277200000 1277220000 1277270000 1277280000 1277290000 1277300000 1277310000 1277320000 1277330000 1277340000 1277350000 1277360000 1277370000
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