配单专家企业名单

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说明
操作

10A07-T
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
69880
DIODES/美台
NA
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

10A07-T
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
0
DIODES INCORPORATED
con
24+
-
二极管

10A07-T
深圳市煌盛达科技有限公司
深圳市煌盛达科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13823538694
地址：平湖华南城华利嘉
资质：营业执照
1000
原厂
原厂原包装
20+
-
原装现货，诚信交易

10A07-T
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
0
DIODES INCORPORATED
con
24+
-
二极管

10A07
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
GS
DIP
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

10A07-T
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
只做原装正品欢迎洽谈电话010-62...

10A07-T
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
Diodes
一级代理，品质保证！！
08+
-
假一罚十，百分百原装正品

10A07-T
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
822500
DIODES IN
1521+
-
全新原装现货

10A07-T
北京力通科信电子有限公司
北京力通科信电子有限公司
联系人：韩小姐
电话：13661385246
地址：北京市海淀区知春路118号知春大厦B座1504室，新中发电子市场B1303-b1305柜台
469
DIODES INCORPORATED
SMD
19+
-
进口原装公司现货库存

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制造商
MCC
制造商全称
Micro Commercial Components
功能描述
10 Amp Rectifier 50 to 1000 Volts

10A07 技术参数

10A06-T 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 10A R6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 10A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:80pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:R6，轴向供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:500 10A060 功能描述:TRANS RF BIPO 21W 3A 55FT-2 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:停產晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:24V 频率 - 跃迁:1GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:8dB ~ 8.5dB 功率 - 最大值:21W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 400mA，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 工作温度:200°C（TJ）安装类型:接线柱安装封装/外壳:55FT 供应商器件封装:55FT 标准包装:1 10A05-T 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 10A R6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 10A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:80pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:R6，轴向供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 10A04-T 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 10A R6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 10A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:150pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:R6，轴向供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 10A030 功能描述:TRANS RF BIPO 13W 1.5A 55FT2 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:停產晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:24V 频率 - 跃迁:2.5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:7.8dB ~ 8.5dB 功率 - 最大值:13W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 200mA，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1.5A 工作温度:200°C（TJ）安装类型:接线柱安装封装/外壳:55FT 供应商器件封装:55FT 标准包装:1 10AS016C4U19I3SG 10AS016E3F27E1HG 10AS016E3F27E1SG 10AS016E3F27E2LG 10AS016E3F27E2SG 10AS016E3F27I1HG 10AS016E3F27I1SG 10AS016E3F27I2LG 10AS016E3F27I2SG 10AS016E3F29E1HG 10AS016E3F29E1SG 10AS016E3F29E2LG 10AS016E3F29E2SG 10AS016E3F29I1HG 10AS016E3F29I1SG 10AS016E3F29I2LG 10AS016E3F29I2SG 10AS016E4F27E3LG

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